Hu Yan, Yuta Mochizuki, Toshihiko Jo und Hidenori Okuzaki
Feldeffekttransistoren (FETs) aus einwandigen Kohlenstoffnanoröhren (SWCNT) wurden auf einem Strontiumtitanat-Substrat (SrTiO3) in einem Nassverfahren unter Verwendung von amidfunktionalisierten SWCNT hergestellt. Der SWCNT-FET zeigte eine gute Gate-Modulation für den Drainstrom bei niedrigen Betriebsspannungen (-3 V). Die Lochbeweglichkeit betrug 0,19 cm2/Vs bei einem Ein-/Aus-Stromverhältnis von 1,3. Nach der Immobilisierung des Antikörpers gegen prostataspezifisches Antigen (PSA) reagierte der SWCNT-FET deutlich auf das PSA. Der Drainstrom bei -3 V sowohl der Drain- als auch der Gate-Spannung stieg mit zunehmender PSA-Konzentration nahezu linear an.